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氮化镓单晶片

九州bet网址经销世界知名品牌氮化镓GaN单晶片产品。氮化镓单晶片生长方式,等级,直径,厚度,表面处理,晶向,晶向偏角,掺杂类型,电阻率,薄膜,加工服务。

产品详情

 

GaN/ Al?O? Substrates (4")  4英寸氮化镓复合衬底

Item 产品型号

Un-doped

N-type

High-doped N-type

Size 尺寸 (mm)

Φ100.0±0.5 (4")

Substrate Structure衬底结构

GaN on Sapphire(0001)

SurfaceFinished 表面处理

(Standard: SSP Option: DSP)

Thickness 厚度(μm)

4.5±0.5; 20±2;Customized

Conduction Type 导电类型

Un-doped

N-type

High-doped N-type

Resistivity 电阻率 (Ω·cm)(300K)

≤0.5

≤0.05

≤0.01

GaN Thickness Uniformity
GaN厚度不均匀性

≤±10% (4")

Dislocation Density (cm-2)
位错密度

≤5×108

有效面积 Useable Surface Area

>90%

Package 包装

Packaged in a class 100 clean room environment.


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