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磷化铟单晶片

九州bet网址经销世界知名品牌磷化铟InP单晶片产品。磷化铟单晶片生长方式,等级,直径,厚度,表面处理,晶向,晶向偏角,掺杂类型,电阻率,薄膜,加工服务。

产品详情

Type 导电类型

Semi-Insulated

N-Type

P-Type

NP Type

Dopant  掺杂元素

Fe

S, Sn

Zn

Undoped

Growth Method 长晶方式

VGF

Diameter 直径

2", 3", 4", 6"

Orientation 晶向

(100)±0.5°

Thickness 厚度 (?m)

 350-675um ±25um

OF/IF 参考边

US EJ

Carrier Concentration 载流子浓度

-

(0.8-8)*1018

(0.8-8)*1018

(1-10)*1015

Resistivity 电阻率 (ohm-cm)

>0.5*107

-

-

-

 Mobility 电子迁移率 (cm2/V.S.)

>1000

1000-2500

50-100

3000-5000

Etch Pitch Density 位错密度(/cm2)

<5000

<5000

<500

<500

TTV 平整度 [P/P] (?m)

<10

TTV 平整度 [P/E] (?m)

<15

Warp 翘曲度 (?m)

<15

Surface Finished 表面加工

P/P, P/E, E/E


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